0.1 – 10 GHz 0.5W Yüksek Verimli Tek Transistörlü GaAs pHEMT Güç Kuvvetlendiricisinin Yük Taraması Yöntemi Kullanılarak Tasarımı

SAYGINER M., YAZGI M., KUNTMAN H. H.

SIU 2011, Türkiye, 20 Nisan 2011, (Tam Metin Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Samsun Üniversitesi Adresli: Hayır